大家好，今天小编来为大家解答【中国偷韩国半导体技术？看看三星的代工良率再说】这个问题，很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

近期，中国外交部证实一名50多岁韩国侨民A先生，于去年年底因间谍嫌疑在中国被捕。

根据媒体信息，A某现居安徽省合肥市，在当地一家半导体公司工作，与妻子和两个女儿一起生活。其曾就职于三星电子半导体部门担任离子注入技术员20余年，2016年移居中国，并加入中国最大的存储器制造商长鑫存储（CXMT），随后他离开长鑫存储，又在另外2家中国半导体公司任职。

2023年12月18日，合肥市国家安全局的调查人员以间谍罪名逮捕了A先生，并在当地一家酒店隔离审讯了5个多月，随后于2024年5月被检察机关移送拘留，预计于2024年11月正式受审。合肥市国家安全局怀疑，A某在长鑫存储工作期间，曾向韩国泄露长鑫存储的半导体相关资讯，A某则坚称自己在中国没有接触过任何核心半导体技术。

中国新修订的《反间谍法》于2023年7月生效，新法将间谍行为的范围从“窃取国家机密和资讯”扩大到包括转移任何与“国家安全和利益”有关的文件、资料、材料和物品，即使它们不属于国家机密范畴。

如果A某在后续审判中被判入狱，他将成为第一个因为违反中国新修《反间谍法》受到处罚的韩国人。过去在中国间谍相关犯罪的审判通常需要数年时间，具体的刑期达到3-10年或更长。

在韩国韩联社等媒体，以及韩国大学、研究机构对外媒的采访中，都称长鑫存储的技术落后于三星半导体，所以向三星泄露长鑫相关的商业机密不太可能。而A先生的被捕，与韩国检方在今年1月遭起诉的前三星电子部长金某的事件相似，当时金某涉嫌将三星电子内存技术泄露给长鑫而被逮捕。

类似的案件还有2023年12月，韩国检察院以涉嫌违反韩国《防止和保护工业技术泄露法》，将2两名从中国返回韩国的前三星电子韩籍员工逮捕，指控他们涉嫌向中国厂商泄露了三星16nm DRAM技术机密。另一起案件当中，三星和SK海力士前高管亦遭指控，涉嫌利用窃取的三星DRAM技术在中国建厂而被捕。

今年10月初，韩国政府还推出了最新一揽子措施，以追查和惩罚向外国厂商泄漏关键技术的行为，其中已有10起与中国有关。暗指中国的反间谍案是对韩国追随美国，配合美国技术封锁的报复行为。

三星半导体业务难以为继

是不是报复，很难定论。但美国对中国的技术封锁效果如何，韩国企业是否从中获益，路是越走越宽，还是越来越只能“一条路走到黑”，却有比较客观的数据可以观察。

三星电子2024年第三季度财报显示，期内实现营收79.10万亿韩元，同比增长17%、环比增长7%；经营利润9.18万亿韩元，同比增长278%、环比减少12%；净利润10.10万亿韩元，同比增长73%、环比增长3%。

三星主要业务营业利润表现

继上半年大起大落，疫情期间积累的压力并没有快速消融之外，三星本身的经营似乎也遇到了前所未有的结构性问题。从旗下具体业务看，三星半导体业务经营利润出现了较大程度环比下滑，由于公司其他业务在当季度的环比盈利增速均低于1%，由此拖累了公司整体利润表现。

相比之下，同被称为“韩国双雄”的另一家存储巨头SK海力士，则一路高歌猛进。第三季度，SK海力士实现营收17.57万亿韩元，同比增长94%、环比增长7%；经营利润7.03万亿韩元，同比大幅扭亏（上年同期为亏损1.792万亿韩元）、环比增长29%。

两家公司整体收入有较大差异，源于三星还有其他如显示、手机等多元业务支撑，半导体业务承压已经无法掩盖。而SK海力士得以快速成长，甚至在头部存储厂商中率先得以实现扭亏，背后是面向AI时代的技术准备和验证速度快于同业。三星显然看到了半导体业务正面临竞争压力，近期更换了业务主管，也在积极推进向英伟达的HBM验证工作。

展望第四季度，三星称将密切监测需求趋势，例如关注地缘政治和刺激计划等因素。加速改善业务基本面，推动旧生产线向更高节点迁移，以此增强盈利能力，并加速推动库存水平和产品组合的正常化；同时扩大HBM的产能以推进销售增长，并加速向基于32Gb DDR5的高密度服务器需求的1b纳米过渡。

三星存储业务盈利能力下滑，难免让人联想到前不久摩根士丹利率先喊出“存储寒冬将至”的预测。这种“狼来了”虽然有些悲观，但确实有“狼”要来吃掉现有芯片巨头的利润。

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